Hynix Semiconductor анонсировала свои 2-гигабитные чипы DDR3 DRAM, сделанные по нормам 40-нм техпроцесса. Эти продукты прошли тестирование у Intel, и Hynix уже приступила к их серийному выпуску. До конца этого года процедуру тестирования пройдут также и 40-нм RDIMM модули DDR3.

Среди новых продуктов Hynix, уже утвержденных Intel, — 2-Гб чипы DDR3 SDRAM, 4-гигабайтные SO-DIMM модули DDR3 и 2-гигабайтные UDIMM модули DDR3. Новинки работают на частоте 1333 МГц при напряжении 1,5 вольта. Представленные чипы обеспечивают максимальную скорость передачи данных на частоте 1867 МГц, с 16-битным I/O контроллером и пропускной способностью 3,7 Гбит/сек.

Hynix утверждает, что производительность 40-нм 2-Гб чипов DDR3 увеличилась более, чем на 60% по сравнению с аналогичными продуктами, выполненными по 50-нм техпроцессу. При этом энергопотребление сократилось на 40%.

2-гигабитные чипы DDR3 DRAM предназначены для высокопроизводительных серверов.